Версия сайта для людей с нарушением зрения

только для медицинских специалистов

Раздел 4 / 17

Страница 1 / 54

Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона

/

Режим прокрутки

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На следующую главу

На последнюю страницу

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 10 стр. из этой главы.

Для продолжения работы требуется вход / регистрация

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На следующую главу

На последнюю страницу

Читать в приложении

Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии

Оглавление

Предисловие

Введение

Глава 1. Пробои на катоде магнетрона +

Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона -

2.1. Устранение причин пробоев на катоде магнетрона с помощью импульсного СЧ ИП

2.2. Процессы в плазме среднечастотного разряда

2.3. Влияние параметров СЧ импульсов на скорость и механизм осаждения пленки

2.4. Работа ИП при возникновении дуги

2.5. Решение проблемы "исчезающего анода" при реактивном магнетронном разряде

Литература

Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки +

Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления +

Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений +

Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею +

Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника +

Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда +

Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"+

Глава 10. ТСР источники плазмы

Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"+

Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда +

Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника +

Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"+

Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения