только для медицинских специалистов

Раздел 6 / 17

Страница 81 / 88

Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Внимание! Часть функций, например, копирование текста к себе в конспект, озвучивание и т.д. могут быть доступны только в режиме постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется вход / регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Читать в приложении

Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии

Оглавление

Предисловие

Введение

Глава 1. Пробои на катоде магнетрона +

Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона +

Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки +

Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления -

4.1. Причины нестабильности реактивного распыления

4.2. Стабилизация процесса реактивного магнетронного распыления

4.3. Измерение парциального давления реактивного газа внешними по отношению к разряду устройствами контроля

4.4. Стабилизация процесса реактивного магнетронного распыления по электрическим параметрам разряда

4.5. Достижение долговременной стабильности процесса реактивного магнетронного распыления

4.6. Влияние температуры мишени на процесс реактивного распыления

Литература

Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений +

Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею +

Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника +

Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда +

Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"+

Глава 10. ТСР источники плазмы

Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"+

Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда +

Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника +

Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"+

Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения