только для медицинских специалистов

Раздел 10 / 17

Страница 48 / 48

Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Внимание! Часть функций, например, копирование текста к себе в конспект, озвучивание и т.д. могут быть доступны только в режиме постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется вход / регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Читать в приложении

Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии

Оглавление

Предисловие

Введение

Глава 1. Пробои на катоде магнетрона +

Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона +

Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки +

Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления +

Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений +

Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею +

Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника +

Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда -

8.1. Моделирование изменения параметров процесса реактивного нанесения во времени

8.2. Моделирование установившегося процесса реактивного нанесения

8.3. Представление вольт-амперных характеристик разряда

8.4. Моделирование процессов в разряде в течение периода импульса

8.5. Моделирование процессов при среднечастотном импульсном распылении

8.6. Моделирование неустановившихся процессов реактивного распыления

8.7. Экспериментальные исследования процессов релаксации в реактивном разряде после каких-либо резких изменений условий разряда

8.8. Особенности моделирования процесса реактивного нанесения нитридов кремния и алюминия

8.9. Примеры применения моделей реактивного распыления

Литература

Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"+

Глава 10. ТСР источники плазмы

Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"+

Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда +

Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника +

Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"+

Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения